« предыдущий день / в этом месяце / архив / следующий день »
| [29.10.2009] |
| Цвет на экранах E Ink оставляет желать лучшего | [29.10.2009 15:29:00] |
Вчера в Иокогаме открылась выставка плоскопанельных дисплеев FPD International 2009. В рамках мероприятия ведущие компании продемонстрируют не только передовые разработки в области мониторо- и телевизороростроения, но также покажут экраны для электронных книг на основе технологий показа изображения в отражённом свете (как в бумажных книгах). Поскольку с монохромными «электрочернильными» экранами всё обстоит более-менее благополучно, интересно понаблюдать за прогрессом в создании цветных «бумагоподобных» экранов.
К сожалению приходится признать, что прогресс в данной области практически отсутствует. Поскольку за основу цветных экранов берутся монохромные экраны E Ink (то же самое относится к технологиям SiPix и Bridgestone), самое лучшее, чего можно добиться — это 7% охвата в пространстве NTSC:

Прототип цветного дисплея E Ink компании Samsung
| A-DATA выпускает быстрый SSD и открывает офис в Москве | [29.10.2009 13:38:00] |
Официальным пресс-релизом компания A-DATA Technology представила новую модель SSD S596 в своей производительной 500-й серии флэш-винчестеров. По словам производителя — это самый быстрый SSD в индустрии, последовательные скорости чтения и записи которого равны, соответственно, 250 МБ/с и 180 МБ/с. И если относительно предыдущей модели S592 действительно заметен прогресс (соответствующие показатели S592 составляют 230 МБ/с и 170 МБ/с), то в отношении «обгона» конкурирующих решений маркетологи компании несколько погорячились. Только в наших тестах можно обнаружить три SSD имеющие аналогичные характеристики.
В официальном документе компания не раскрывает технических характеристик новинки. Заявлено лишь об использовании типичной схемы — кэш-буфера из памяти DDR2. Интерфейс S596 — SATA 2. Также, что наверняка окажется полезным (и эту схему тоже кто-то уже реализовал, сейчас не вспомню) — накопитель оборудован разъёмом miniUSB.
О цене новой модели не сообщается. Собственно, в линейке S596 будет три накопителя объёмами 64, ГБ, 128 ГБ и 256 ГБ.
Ещё одной интересной новостью от тайваньской компании можно считать организацию представительства фирмы в Москве. Компания отмечает высокий потенциал российского рынка, и желает быть к нему поближе. В организации московского офиса живейшее участие принимал ветеран отрасли и организатор представительства Samsung в Москве в 1996 году г-н Санг Су Ро (Sungsoo Roh).
| Intel научилась выпускать многослойную PCM-память | [29.10.2009 12:25:00] |
Нынешний год может считаться временем резкого укрепления позиций нового типа энергонезависимой памяти — памяти с изменяемой фазой состояния вещества — PRAM (Phase change RAM) или PCM (Phase Change Memory). После многих лет экспериментов и выпуска опытной мелкосерийной продукции летом этого года лидеры нового направления компании Samsung и Numonyx (последняя — это совместное предприятие Intel и STMicroelectronics) начали совместно разрабатывать индустриальные спецификации PCM. Принятие спецификаций, как нетрудно догадаться, послужит широкому вовлечению масс разработчиков в процесс создания контроллеров и устройств с использованием нового типа памяти.
Основные козыри PCM перед NAND-флэш — это малые задержки записи (отсутствует операция стирания перед записью), сравнимая с DRAM скорость чтения и как минимум на порядок большая износостойкость (свыше миллиона циклов записи в ячейку). Всё вместе взятое позволяет надеяться, что в обозримом будущем PCM начнёт вытеснять NAND-флэш. Пока же единственными относительно крупными производителями памяти с изменяемой фазой состояния вещества являются Samsung и Numonyx. Первая выпускает 512-Мбит 90-нм чипы, вторая — 128-Мбит. Зато Intel и Numonyx подготовили прорыв в другом — согласно официальному пресс-релизу компаний, партнёры сумели создать технологию производства многослойной PCM.
Компании разработали вертикальную ячейку PCMS (phase change memory and switch), в которой элемент для записи и управляющий переключатель Ovonic Threshold Switch (OTS) расположены друг над другом. Причём массив парных элементов может выполняться в виде тонкоплёночной структуры, и таких «плёнок» в стопке может быть больше одной. Иными словами, внутри каждого PCM-чипа разработчики организуют что-то вроде многочиповой вертикальной конструкции, только «этажи» набраны не из кристаллов, а из тонкоплёночных массивов. Подобная разработка значительно расширяет возможности наращивания памяти без увеличения площади микросхемы.
Также Intel сообщает, что «плёнки» легко интегрируются в современный CMOS-процесс, а значит: новая технология целиком ложится на современные техпроцессы и не будет слишком затратной для освоения. Пока же компания выпускает лишь опытные 64-Мбит чипы на основе PCMS.
В заключение остаётся напомнить, что принцип работы PCM заключается в том, что под воздействием локального нагрева состояние «запоминающего элемента» меняется с аморфного на кристаллическое. В аморфном состоянии ток не проходит и фиксируется логический «0», в кристаллическом состоянии, соответственно, «1». Почти как CD RW, только данные считываются не лазером, а логическими элементами.
« предыдущий день / в этом месяце / архив / следующий день »




Интернет-магазин
Бабушкинская
Владыкино
Улица 1905 года
Беляево

